何玉平
何玉平，男，江西信丰人，中共党员，博士研究生，副教授。2004年6月赣南师范学院本科毕业，2007年6月西南大学硕士毕业，2017年1月南昌大学博士毕业。2007年7月至今，南昌工程学院从事教学科研工作，获得“省竞赛组织工作先进个人”、“省优秀指导教师”、“感动南工教师”、“十佳青年教师”、“教学之星”、“师德先进个人”、“优秀党员”、“优秀教师”、“就业工作先进个人”、“优秀班主任”等荣誉；（1）主持省部级科研项目2项；（2）主持完成校教改项目2项；（3）第一作者科研教研论文近20篇，SCI/EI收录4篇；（4）主编教材1部《大学物理实验（第3版）》，副主编2部；（5）省级竞赛获奖2项，校竞赛获奖10余项；指导学生竞赛获奖国家级1项，省级8项；（6）主要讲授《大学物理》、《大学物理实验》、《自然科学发展概要》等课程；校媒报道教书育人事迹多次。
一、代表性论文（均为第一作者）
（1）Effect of substrate temperature and post-deposition annealing on intrinsic a-SiOx: H film for n-Cz-Si wafer passivation[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2016, 27(5): 4659-4666（SCI收录）.
（2）a-SiOx: H passivation layers for Cz-Si wafer deposited by hot wire chemical vapor deposition[J]. Material Science in Semiconductor processing。2017, 61: 1-4（SCI收录）.
（3）a-Si:H基薄膜中SiH及SiH2键构成对n型直拉单晶硅片钝化效果的影响研究[J]. 真空科学与技术学报，2015,35（8）：970-974（EI收录）.
（4）HWCVD工艺参数对a-Si:H薄膜结构及其对单晶硅片钝化效果的影响研究[J].功能材料，2015, 46（22）:22067-22075（EI收录）.
（5）非晶硅/晶体硅异质结太阳电池结构设计研究[J]. 南昌工程学院学报，2022年12月.
（6）HWCVD法掺氧氢化非晶硅（a-SiOx:H）钝化n-Cz-Si研究[J]. 真空科学与技术学报，2019，39（6）：519-523.
（7）衬底温度对氢化非晶氧化硅（a-SiOx:H）钝化性能的研究研究[J]. 真空科学与技术学报，2022年12月.
（8）n/p型掺杂非晶硅薄膜工艺优化研究[J]. 南昌工程学院学报，2017，36（4）：28-30.
（9）气体流量对氢化非晶氧化硅（a-SiOx:H）钝化性能的影响[J]. 南昌工程学院学报，2018,37（4）：53-57.
（10）注入电流对半导体激光器边模抑制比的影响[J].南昌工程学院学报，2011，30（1）：49-52.
（11）其他科研及教学改革论文多篇（详可查中国知网）.
二、主持在研及完成的省部级以上科研项目
（1）HIT电池本征非晶硅薄膜钝化机理研究，江西省教育厅科技项目（GJJ211925），3万，结题，主持；
（2）江西水科普教育研究，江西省高校人文社会科学重大研究基地项目，2万，在研 主持。
三、联系方式
地址：南昌工程学院(瑶湖校区)济民楼C201室
电话：13479179225
邮箱：heyuping@nit.edu.cn
